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R6010ANX
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Data Sheet
Fig.8 Source Current vs. Source-Drain Voltage
100
10
V DS =10V
pulsed
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
100
10
V GS =0V
pulsed
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
1
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
Drain Current : I D [A]
Fig.9 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0
T a =25 ° C
Pulsed
10000
Source-Drain Voltage : V SD [V]
Fig.10 Switching Characteristics
0.8
0.6
I D =10A
1000
100
t d(off)
t f
0.4
I D =5A
t d(on)
0.2
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0.01
0.1
t r
1
V DD ≒ 300V
V GS =10V
R G =10Ω
T a =25 ° C
Pulsed
10
100
10
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
100000
Drain Current : I D [A]
Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
8
T a =25 ° C
V DD =300V
I D =10A
Pulsed
10000
T a =25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
C oss
6
4
2
1000
100
10
C iss
C rss
0
0
5
10
15
20
25
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
Total Gate Charge : Q g [nC]
Drain-Source Voltage : V DS [V]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/6
2011.10 - Rev.A
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